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柔性内存技术又有新突破

时间:2011-05-31 10:13:52点击:

不过NIST的研究人员Nadine Gergel-Hackett坦承,该种柔性忆阻器(memristor)仍在原型阶段,而且还需克服部分挑战才能量产或上市:“我们希望能做出有益于柔性电子技术发展的柔性内存组件,而且能具备广泛应用的经济效益。”

 “由于该组件中的活性元素(active component)能由液体制造出来,因此未来我们有可能使用简单又便宜的方法来印刷整个内存,就像在投影片上印出演示文稿那样。”她表示。

  Gergel-Hackett与她的同事在聚合物薄片(polymer sheets)的表面上,沉积一层二氧化钛(titanium oxide);为了成功沉积二氧化钛,她们使用了一种溶胶-凝胶技术(sol gel process),将该种材料化成液态,然后让它凝固,就像制造凝胶的方法。

  然后研究人员又加上电气触点(electrical contacts),创造出运作电压低于10V的软性内存开关。该种组件能在无电状态下保存记忆状态,而且经过4,000次以上的伸缩仍能维持功能。 NIST已经将该柔性内存组件技术申请专利;研究人员并强调,可任意伸缩不会损坏的电子组件,是便携式设备制造商多年以来梦寐以求的技术。