简易发光二极管测试方法
时间:2011-11-30 15:36:28点击:次
除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲，术语LED应该仅应用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管（IRED,Infrared Emitting Diode） ;发射峰值波长在可见光短波限附近，pcb抄板由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。
2.2光轴 Optical axis
最大发光（或辐射）强度方向中心线。
2.3正向电压VF Forward voltage
通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。
2.4反向电流IR Reverse current
加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，pcb抄板流过发光二极管的电流。
2.5反向电压VR Reverse voltage
被测LED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。
2.6总电容C Capacitance
在规定正向偏压和规定频率下，发光二极管两端的电容。
2.7开关时间 Switching time
涉及以下概念的最低和最高规定值是10%和90%，除非特别注明。
2.7.1开启延迟时间td（on） Turn-on delay time
输入脉冲前沿最低规定值到输出脉冲前沿最低规定值之间的时间间隔。
2.7.2上升时间tr Rise time
输出脉冲前沿最低规定值到最高规定值之间的时间间隔。http://www.pcbsjx.cn
2.7.3开启时间ton Turn-on time
器件所加输入脉冲前沿的最低规定值到输出脉冲前沿最高规定值之间的时间间隔
ton= td（on）+tr
2.7.4关闭延迟时间td（off） Turn-off delay time
器件所加输入脉冲后沿的最高规定值到输出脉冲后沿最高规定值之间的时间间隔
2.7.5下降时间tf Fall time
